STM8L051F3P6TR 전자

STM8L051F3P6TR Electronics에는 8Kbytes 플래시, 16MHz CPU, 통합 EEPROM이 있는 초저전력 8비트 MCU가 있습니다. 향상된 코드 밀도, 24비트 선형 주소 지정 공간 및 저전력 작업에 최적화된 아키텍처를 갖춘 CISC 아키텍처.

STM8L051F3P6TR은 STM8L 초저전력 8비트 제품군에 속합니다. STM8L051F3P6TR MCU에는 하드웨어 인터페이스(SWIM)가 있는 통합 디버그 모듈이 포함되어 있어 비간섭 애플리케이션 내 디버깅 및 초고속 플래시 프로그래밍이 가능합니다. 임베디드 데이터 EEPROM과 저전력, 저전압, 단일 공급 프로그램 플래시 메모리가 특징입니다.

이 장치는 확장된 범위의 향상된 I/O 및 주변 장치, 12비트 ADC, 실시간 클록, 2개의 16비트 타이머, 1개의 8비트 타이머는 물론 SPI와 같은 표준 통신 인터페이스를 통합합니다. I2C 인터페이스와 하나의 USART.

주변 장치 세트의 모듈식 설계를 통해 이 장치는 32비트 제품군을 비롯한 다양한 ST 마이크로컨트롤러 제품군에서 볼 수 있는 동일한 주변 장치를 사용할 수 있습니다. 이는 공통 개발 도구 세트를 사용하여 지원되는 다른 제품군으로의 전환을 매우 쉽게 만듭니다.

STM8L051F3P6TR은 모든 밸류 라인인 STM8L 초저전력 제품으로 동일한 메모리 매핑 및 일관된 핀아웃을 사용하는 동일한 아키텍처를 기반으로 합니다.

제품 특징

유형	주요 제품 기능
STM8L051F3P6TR	작동 조건 â작동 전원 공급 장치: 1.8V ~ 3.6V 온도 범위: â40°C ~ 85°C
	저전력 기능 â5 저전력 모드: 대기, 저전력 실행(5.1µA), 저전력 대기(3µA), RTC 포함 Activehalt(1.3µA), Halt(350nA) âI/O당 매우 낮은 누출: 50nA âHalt에서 빠른 깨우기: 5 µs
	고급 STM8 코어 âHarvard 아키텍처 및 3단계 파이프라인 â최대 주파수: 16MHz, 16CISC MIPS 피크 â최대 40개의 외부 인터럽트 소스
	리셋 및 공급 관리 â5개의 선택 가능한 임계값으로 저전력, 매우 안전한 BOR 재설정 â초저전력 POR/PDR â프로그래밍 가능한 전압 감지기(PVD)